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變廢為寶:巧用鹵化物鈣鈦礦表面缺陷優(yōu)化光伏電池能級結(jié)構(gòu)

2019/11/27
導(dǎo)讀
李耀文教授與陳琪副研究員合作,針對鹵化物鈣鈦礦表面帶電缺陷設(shè)計了一種帶強(qiáng)偶極矩的碘離子化富勒烯分子,證實(shí)富勒烯的碘離子與鈣鈦礦表面未飽和Pb2+缺陷之間的靜電相互作用,不僅可以有效鈍化鈣鈦礦表面缺陷,而且能誘導(dǎo)碘離子化的富勒烯組裝形成界面偶極層。該研究于近期發(fā)表在Nature Communications 上。

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?碘離子化的富勒烯PCBB-3N-3I修飾的鈣鈦礦光伏電池顯示出更加優(yōu)異的器件性能,一方面是因?yàn)橛行рg化鈣鈦礦表面缺陷,另一方面歸因于缺陷誘導(dǎo)PCBB-3N-3I組裝帶來的界面能級結(jié)構(gòu)優(yōu)化。


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界面偶極是近年來薄膜光伏電池領(lǐng)域中最熱門的概念之一,它可以有效調(diào)節(jié)器件界面能級結(jié)構(gòu)增強(qiáng)內(nèi)建電場,從而促進(jìn)光生載流子的分離、傳輸和收集,減少復(fù)合。大量研究從調(diào)控界面層中分子的骨架和官能團(tuán)著手,試圖通過提高分子本身的偶極矩,來增強(qiáng)界面層的偶極強(qiáng)度。


除了分子本身的偶極矩外,界面層的偶極強(qiáng)度實(shí)際上還取決于分子的聚集態(tài)結(jié)構(gòu),完全隨機(jī)的堆積取向甚至可能導(dǎo)致各個分子的偶極矩相互抵消。通常,從亞納米尺度的分子結(jié)構(gòu)難以跨越近十個數(shù)量級直接映射宏觀尺度的器件行為。因此,亟需發(fā)展跨尺度研究方法,解析分子設(shè)計與微納尺度聚集態(tài)的關(guān)聯(lián),進(jìn)而優(yōu)化界面層的偶極強(qiáng)度,提高宏觀器件性能。


蘇州大學(xué)李永舫院士團(tuán)隊李耀文教授與中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所陳立桅研究員團(tuán)隊陳琪副研究員合作,針對鹵化物鈣鈦礦表面帶電缺陷設(shè)計了一種帶強(qiáng)偶極矩的碘離子化富勒烯分子(PCBB-3N-3I),并通過跨尺度研究方法證實(shí),富勒烯的碘離子與鈣鈦礦表面未飽和Pb2+缺陷之間的靜電相互作用,不僅可以有效鈍化鈣鈦礦表面缺陷,而且能誘導(dǎo)碘離子化的富勒烯組裝形成界面偶極層,從而優(yōu)化界面能級結(jié)構(gòu),提高光伏電池性能和穩(wěn)定性。該研究于近期發(fā)表在Nature Communications 上。



富勒烯衍生物是將碳球(例如C60,C70)開環(huán)后接上柔軟的側(cè)鏈,此時碳球的對稱性被破壞從而展現(xiàn)較強(qiáng)的分子偶極矩。如果將富勒烯衍生物旋涂到原子級平整的襯底上(例如云母,單晶Si等),這類柔軟的分子成膜后通常雜亂無章,不會乖乖地組裝排列,難以形成界面偶極層。而想要在表面缺陷叢生,粗糙度達(dá)幾十納米的多晶鹵化物鈣鈦礦薄膜上組裝排列則更難實(shí)現(xiàn)。


有意思的是,在鈣鈦礦表面涂上PCBB-3N-3I分子之后,采用半導(dǎo)體分析技術(shù)(宏觀尺度10-3 m - 10-2 m),例如Mott-Schottky分析,光電流Vs有效電壓曲線等,對比測量鈣鈦礦光伏電池卻發(fā)現(xiàn)內(nèi)建電勢大大增強(qiáng),意味著PCBB-3N-3I形成了界面偶極層。為了驗(yàn)證柔軟的富勒烯分子真的能在鈣鈦礦表面組裝排列,該團(tuán)隊進(jìn)一步結(jié)合了跨越亞納米尺度,納米-微米尺度,介觀尺度的多種表征技術(shù):


1.介觀尺度(10-6 m - 10-3 m):光譜技術(shù)被廣泛用于化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)的研究,其空間分辨率處于微米-毫米量級的介觀尺度,正好對應(yīng)于分子聚集態(tài)的特征尺度,是連接宏觀與微觀的橋梁。該團(tuán)隊使用了僅對表界面上的分子排列取向敏感的和頻光譜(SFG)技術(shù)證實(shí),帶強(qiáng)偶極矩的PCBB-3N-3I分子在鈣鈦礦表面有序組裝排列,是PCBB-3N-3I界面偶極層形成的關(guān)鍵。


2.納米-微米尺度(10-9 m - 10-6 m):掃描探針技術(shù)具有納米級的空間分辨率并覆蓋至微米尺度,其功能成像技術(shù)能夠提供豐富的能級排布和電荷傳輸信息。為了驗(yàn)證PCBB-3N-3I界面偶極層是內(nèi)建電勢提高的原因,該團(tuán)隊使用原創(chuàng)的原位工況掃描開爾文探針技術(shù)(cross-sectional SKPM)對比鈣鈦礦器件加入PCBB-3N-3I前后發(fā)現(xiàn),PCBB-3N-3I界面層引起真空能級突降。這樣的能級排布意味著有較強(qiáng)的界面電場且與內(nèi)建電場方向相同,兩者疊加從而提高器件內(nèi)部電場和內(nèi)建電勢,這也與宏觀尺度的Mott-Schottky分析,光電流Vs有效電壓曲線的結(jié)果一致。


3.分子尺度(10-10 m - 10-9 m):第一性原理計算(DFT)是解析單個分子在襯底表面構(gòu)型的常用手段,能夠從分子尺度追溯界面偶極層的形成機(jī)理。PCBB-3N-3I是末端為三個二乙基胺的富勒烯衍生物PCBB-3N經(jīng)碘離子化之后的產(chǎn)物,DFT計算表明PCBB-3N-3I比PCBB-3N在鈣鈦礦表面未飽和Pb2+的吸附能更低,且更易有序組裝排列??紤]到PCBB-3N-3I與PCBB-3N的唯一差別在于側(cè)鏈上的I-,故推測I-與未飽和Pb2+之間的靜電相互作用使得PCBB-3N-3I的側(cè)鏈易吸附在未飽和Pb2+上,為分子組裝提供驅(qū)動力。


這項工作既為鹵化物鈣鈦礦帶電缺陷變廢為寶提供了新的思路,也充分展示了跨尺度研究方法的關(guān)鍵作用。


論文鏈接:Nature Communications 

注:本文轉(zhuǎn)載自 Nature自然科研。

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